至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片

感谢中文国际网友的线索投递!12月13日消息,至讯创新今日宣布,其自主研发的国内首款中小容量19nm2DNAND闪存芯片研制成功,预计将于明年年初所有投放市场。至讯创新表示,这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量19nm2DNAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量,提供1.8V……