“杭州芯火壹号”HX001 芯片发布，超大窗口阻变随机存储器
12 月 17 日，“杭州芯火壹号”HX001 芯片公布，宣布杭州国度“芯火”初次颗芯片 —— 超大窗口阻变随机存储器芯片降生。该芯片是杭州国度“芯火”双创领域共性技术研究的一片面，由杭州国度“芯火”双创领域与浙江大学微纳电子学院协同开发实现。
图片起原：杭州国度芯火
据悉，“杭州芯火壹号”HX001 芯片的阻变器件选定插层布局，接纳双层或多层的插层布局来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的地位，制备 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 布局，来有用地削减阻变器件的阻变参数的分离性。具有 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 布局的阻变器件不需求 Forming 操纵，从而有用进步忆阻器的窗口，存储窗口可大于 106，并削减了对器件的后端集成。同时，接纳十字穿插阵列将单元面积做到 40F2，大大进步了阻变器件的集成密度。
检验汇报表现：HX001 芯片的工作电压小于 5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于 106；在 150℃情况下，分别在 1s，30s，100s，300s，1000s，3000s 时加大概 0.1V 小电压对忆阻器举行数据连结特征测试，忆阻器均能连结电阻阻值巩固；凭据模子外推忆阻器所存储的数据可在 150℃情况温度下连结 10 年以上；忆阻器单元面积小于 40F2。当前，已请求一项国度发现专利。
杭州国度芯火消息称，当前“HX001”芯片曾经多家单元评测试用，用户均觉得该芯片产品具有较好的存储特征和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场使用远景。
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