英诺赛科展示 65W 到 240W GaN 解决方案，加速 USB PD3.1 应用

11 月 26 日，在 2021（秋季）USB PD&Type-C 亚洲展上，英诺赛科展现了 All GaN 办理计划；与此同时，英诺赛科超凡产品使用司理邹艳波刊登了《高机能 All GaN 计划为 USB PD 3.1 使用加速》的主题演讲，现场分析更多 GaN 市场代价及使用新动向。

▲英诺赛科超凡产品使用司理邹艳波

“USB PD 3.1 快充规范带来了更高的输出电压、更高的功率和功率密度。除了手机、平板、条记本电脑外，还可以使用于表现器、相机、无人机、扫地机器人，电开工具以及电动自行车等多个场景。”邹艳波指出，“目前，英诺赛科的 GaN 器件曾经完成全场景笼盖。”

但是，USB PD 3.1 和谈的推出对电源计划也提出了新的搦战。而接纳氮化镓（GaN）制成的功率器件依附其隽拔的服从及高速切换频率的上风，能完善应对电源计划中的困难。

为此，英诺赛科推出了从 65W 到 240W 全系列 All GaN 办理计划，让功率密度和服从进一步提升。针对 All GaN 计划，英诺赛科推出了 150V GaN 芯片，与目前市道上非常高规范的 150V Si MOS 比拟，机能提升 2-3 倍。

据邹艳波介绍，英诺赛科 All GaN 计划有如下三种：65W1C，140W 28V/5A 和 240W 48V/5A。

其中，基于 150V GaN 机能，在原计划上晋级的 65W All GaN 计划，功率密度可达 31W/in3。在 90V 交换电下服从为 93.4%，在 230V 下服从达 94.7%。

140W 计划可支撑 28V/5A 输出，接纳无桥 PFC+ACF 架构，功率密度达 30W/in3，大小与古代 65W 快充尺寸相配。

240W（PD3.1 48V5A）计划接纳 Totem pole 无桥 PFC+LLC 计划，功率密度高达 41W/in3，服从达 96.5%，尺寸仅为一张银行卡大小。

邹艳波显露，在量产高低压氮化镓器件的底子上，英诺赛科也努力于做全链路高效、高频和高功率密度的计划，畴昔端电网侧，转到我们的充电器以及得手机里面，完成全部从端到端的办理计划，赞助大家提升能效。值得一提的是，在 IDM 模式助力下，英诺赛科每两代产品晋级，可使单片晶圆的芯片数目增长 2 倍摆布。

得益于富厚的 InnoGaN 系列产品线，英诺赛科在花费类电源市场高歌大进，目前出货量已突破 4000 万颗，曾经被遐想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic等多家出名品牌和厂家的上百款产品所接纳，并与合作同伴配合推出先进的氮化镓使用计划。

关于未来开展，邹艳波显露，All GaN 计划在绿色动力、数据中间动力、智能电动、直流楼宇等四大平台都将有宽泛的使用时机。他指出，“英诺赛科在‘GaN’一件故意义的工作。若用氮化镓去提升全部供电电路 5% 的功用，以环球每一年电能花消 27 万亿千瓦时来计较，可以完成 10 亿吨的碳减排。”