SSD 需求拉动，消息称三星电子、 SK 海力士、美光提高 176 层 3D NAND 产量
据业内子士吐露，主要 NAND 芯片提供商将在 2021 年第四时度进步 176 层 3D NAND 芯片产量，这大概会在来岁上半年带来提供方面的变数。
据《电子时报》援引信息人士称，美光科技率先将其 176 层 3D NAND 闪存制造工艺转向量产，SK 海力士紧随自后，在第四时度首先量产。
三星电子也将在平泽第 3 工厂（P3）安置新的 3D NAND 芯片制造线，以进步 176 层 3D NAND 芯片产量，届时将领有 4 万-5 万片的月产能。
该人士觉得，来岁手机和用户人群 SSD 将越来越多地接纳 176 层 3D NAND 闪存。到 2022 年关，超过 25% 的 NAND 闪存位提供将是 176 层 3D NAND 闪存芯片，高于 2021 年第四时度的近 5%。
此外，该信息人士指出，自第四时度以来，电源经管 IC 和闪存装备掌握器芯片的缺乏环境一直在改进，这鼓励 NAND 闪存芯片制造商扩展产量。估计到 2022 年上半年，NAND 闪存的提供将超过需要。
但是，因主要 NAND 闪存芯片制造商仍对产能扩大持谨慎立场，该行业来岁的整体提供增幅将略高于 30%，略高于需要增进。三星和 SK 海力士2019的位提供量增幅都将超过整体位提供量增幅，估计在 37%-39%。
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