三星正开发 DDR6-12800 内存,GDDR7 显存规划中
11 月 19 日信息,外媒ComputerBase 本日共享了三星电子在“2021 三星技术日”当天公示的未来开展远景和存储技术革新的内容。
▲图自三星半导体
外媒称,三星在筹办 DDR5 技术的后继产物DDR6,据称该技术的速度和带宽是 DDR5 的两倍。
DDR6 规范还没有被 JEDEC 正式断定,默许的规格应当在 DDR6-12800 摆布。三星证明,该技术尚处于早期开辟阶段,所以公司共享的数据大概会产生变化。外媒称,DDR6 超频内存有望到达 DDR6-17000。
据称,DDR6 内存每个模块将领有 4 个通道,是 DDR5 的两倍;bank 数目将到达 64 个,是 DDR4 的 4 倍。
显存方面,三星现在正在开辟 GDDR6 + 规范,供应高达 24 Gbps 的速度,高于目前 GDDR6 规范供应的 18 Gbps,应用三星的 1znm 工艺生产。此外,GDDR7 规范也在门路图中,但没有更多细节。
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