纳微半导体发布全新 GaNFast 氮化镓功率芯片：采用 GaNSense 技术，有效解决适配器发热问题

11 月 18 日信息，近期纳微半导体揭露，接纳斩新 GaNSense 技术的 GaNFast 氮化镓功率芯片已正式公布。这也是环球首款智能 GaNFast 氮化镓功率芯片，它将能更有用地办理适配器的发烧问题，同时还能连续连结安全、巩固、高功率的充电体验，让本来接纳 GanFast 氮化镓功率芯片的充电器应用体验得到进一步提升。

别的，若氮化镓功率芯片辨认到有潜伏的体系凶险，该芯片将快过渡到逐一周期的关断状况，以保护器件和四周体系。GaNSense 技术还集成了智能待机低落功耗功效，在氮化镓功率芯片处于空暇模式时，自动低落待机功耗，有助于进一步低落功耗。

依附严酷的电流丈量精度和 GaNFast 响应时间，GaNSense 技术缩短 50% 的凶险时间，凶险的过电流峰值低落 50%。GaNFast 氮化镓功率芯片单片集成供应了靠得住的、无故障的操纵，没有“振铃”，从而进步了体系靠得住性。

中文国外得悉，接纳 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、掌握和保护的焦点技术，全部产品的额定电压为 650V/800V，具有 2kV ESD 保护。新的 GaNFast 功率芯片的 RDS (ON) 局限为 120 至 450 毫欧，接纳 5 x 6 毫米 或 6 x 8 毫米 PQFN 封装，具有 GaNSense 保护电路和无损电流感到。

作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对当代电源转换拓扑布局举行了优化，包含高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和 PFC 升压，这些都是挪动和花费市场内盛行的供应非常快、非常高效和非常小的充电器和适配器的技术技巧。

截止至 2021 年 10 月，纳微半导体已出货超过 3000 万颗纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片，在现场尝试完成了超过 1160 亿个装备小时，而且没有任何干于 GaN 现场故障的汇报。

与古代的硅功率芯片比拟，每颗出货的 GaNFast 氮化镓功率芯片能够削减碳萍踪 4-10 倍，可节减 4 千克的二氧化碳排放。而在指标市场 —— 智能手机和条记本电脑快充充电器市场等 —— 估计每一年会有 20 亿美元的氮化镓市场时机，以及每一年 20 亿美元的花费市场时机。