影驰：DDR5 内存进入工程样品试产阶段，近期露面

中文国外 4 月 15 日信息，当前影驰的 DDR5 内存已经是进入了工程样品试产阶段，并将于近期出面。

中文国外打听到，即日，影驰 DDR5 内存就传来了信息：DDR5 DRAM 内存颗粒已经是到厂，首先进入工程样品试产阶段。如上图所示，DDR5 内存颗粒的表面与 DDR4 没有明显迥异，大小一致，只是编码方式差别，另外芯片针脚计划差别，相互互不兼容。针脚的迥异意味着 DDR5 和 DDR4 在功耗、容量、频率和 ECC 等方面有所差别。DDR5 支撑 6400Mbps 的传输速度，比 DDR4 迅速 了 1 倍，且支撑 ECC 纠错，能够自行厘正 1 bit 级毛病，运转电压为 1.1V，比拟 DDR4 的 1.2V 更节能。比拟 DDR4，DDR5 有着更迅速的速度、更大的容量、更高的巩固性以及更低的能耗，可打造单条容量 512GB、频率 8400MHz 的超高规格。

影驰官方说明：

内存带宽的提升是 DDR5 之于 DDR4 非常干脆的转变之一。DDR5 内存的引脚带宽（频率）是 DDR4 的两倍，初次将以 4800MHz 起跳，比 DDR4 的规范频率 3200MHz 进步了 50% 之多，未来非常高乃至能够到达 8400MHz。

更大的容量

容量的大幅提升是 DDR5 内存非常显赫的特性。单颗 DDR5 容许单个存储芯片到达 64Gbit 的密度，这比 DDR4 的非常大 16Gbit 密度进步了 4 倍，有助于进步单颗闪存的容量，进而提升内存的容量。能够预感的是，在 DDR5 期间，16GB 将会成为单条内存的遍及起步容量。

更高的巩固性

比拟上一代规范，由于引入了多种 RAS，DDR5 在巩固性方面也会有更佳的阐扬。其中，已经是惟有在服务器市场才有的检测与改正技术 ——ECC，将会成为 DDR5 内存的标配。

更低的能耗

能耗方面，DDR5 的电压可低至 1.1V，比拟 DDR4 的 1.2V 低落了 0.1V，可为玩家供应更多的调解空间以便充裕压榨内存的机能。思量到 DDR4 的现实电压多为 1.35V，乃至少许超频版本的内存电压为 1.5V，DDR5 在低落能耗方面实在有着不小的进步。