三星推出全球首款 HKMG 工艺 DDR5 内存，单条 512GB

3月25日消息据外媒 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日揭露胜利开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以供应超过 DDR4 内存一倍的机能阐扬，到达 7200Mb/s。三星显露，新款内存可以用于超等计较机、人工智能运算、数据剖析等平台，包管机能开释。

中文国际打听到，HKMG 技术当前仅使用于 GDDR6 显存芯片，可以或许使用新的金属质料作为芯片中的绝缘层，削减走电流，使得能耗低落 13%。三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的使用，进一步建立了该品牌的当先职位。

除此以外，三星还行使了 TSV 硅通孔技术，堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片，所以可以完成 DDR5 内存 512GB 的非常大容量。

三星电子内存部分副总裁 Young-Soo Sohn 显露，“三星是当前环球唯独一家可以或许使用 HKMG 技术生产内存芯片的半导体厂家。这种工艺引入 DRAM 生产，三星可以为客户供应高机能、高能效的内存办理计划，助力医学研究、金融、自动驾驶、伶俐城市等使用。”

英特尔还显露，跟着当前世界上数据量的连接增进，DDR5 内存正处于云计较中间、网页中间、边缘计较的环节节点。英特尔的工程师团队与三星等企业亲切合作，努力于生产高速、节能的 DDR5 内存。英特尔即将公布的代号为 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至强处分器也将兼容 DDR5 内存。

中文国际得悉，三星正在对其 DDR5 内存产品原型的差别变种举行试验，并发送样品给客户举行检测。