SK 海力士发布 176 层 TLC 4D NAND 闪存

中文国外 12 月 7 日信息 凭据外媒 TechPowerUp 的信息,SK 海力士公司公布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。

SK 海力士显露新的 176 层 NAND 闪存接纳加速技术,数据传输速度进步了 33%,到达 1.6 Gbps。来岁年中,SK 海力士将推出非常大读取速度进步 70%、非常大写入速度进步 35% 的挪动办理计划产品,并决策推出用户人群和企业 SSD 产品,进而扩展该产品的使用市场。

SK 海力士还决策开辟基于 176 层 4D NAND的 1Tb 密度的闪存,从而连接加强其在NAND闪存交易的角逐力。

中文国外曾报道,11月初,美光科技揭露已批量出货环球首款 176 层 3D NAND 闪存。这款 176 层 NAND 产品接纳美光第五代 3D NAND 技术和其次代替换栅极架构。

美光科技显露,与美光的上一代大容量 3D NAND 产品比拟,176 层 NAND 将数据读取和写入耽误收缩了 35% 以上。美光的 176 层 NAND 接纳紧凑型计划,裸片尺寸比市场非常靠近同类产品收缩近 30%。美光 176 层三层单位 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆生产工厂量产并向客户交付,包含通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日积年推出基于该技术的更多新产品。

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