中芯国际：其次代 FinFET 已进入小量试产
中文国外 12 月 4 日信息 本日，中芯国外在互动领域上回答投资者时显露，其次代FinFET 已进入小量试产。
在回答投资者 “最近公司 7 纳米产物制造研发希望怎样？”的问题时，中芯国外显露，公司初次代 FinFET14nm 已于 今年 年四时度进入量产，其次代 FinFET 已进入小量试产。
中文国外打听到，中芯国外于 今年 年完成了国内最早进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A 芯片等举行代工。
今年9月份，投资者向中芯国外求证中芯对于下一代芯片量产信息，中芯国外回答显露：中芯国外其次代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年关举行少数量试产。
今年10月份，中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）揭露已完成环球首个基于中芯国外 FinFET N+1 优秀工艺的芯片流片和尝试，全部 IP 全自主国产，功能一次尝试通过。对于N+1工艺，中芯国外联合CEO梁孟松今年初曾吐露，该工艺在功率和巩固性方面与7nm工艺很类似，且不需求EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，因此N+1工艺是面向低功耗使用领域的。其曾显露，中芯国外N+1工艺和14nm比拟，性能提升20%，功耗低落57%，而7nm环境趋势基准性能提升应当是35%。
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