ASML（阿斯麦）已基本完成 1nm 光刻机设计

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11月30日消息摩尔定律还没有结束。日媒报道，因为新型冠状病毒的传布，近期日本ITF于11月18日在日本东京举办了网上公布会。

IMEC公司首席执行官兼总裁Luc Van den hove首先刊登了主题演讲，说明了公司研究概略，他夸大通过与ASML公司慎密同盟，将下一代高分辩率EUV光刻技术——高NA EUV光刻技术贸易化。IMEC公司夸大，将继续把工艺规模收缩到1nm及以下。

包含日本在内的非常多半导体公司相继退出了工艺小型化，宣称摩尔定律曾经走到了止境，大概说老本太高，无利可图。

中文国际得悉，在日本众多光刻对象厂家纷纷退出EUV光刻开发阶段的同时，半导体研究机构IMEC和ASML一直在同盟开发EUV光刻技术，而EUV光刻技术关于超细鳞片来说至关紧张。

IMEC公布低至1nm及以上的逻辑器件门路图

在ITF Japan 2020上，IMEC提出了3nm、2nm、1.5nm以及1nm以下的逻辑器件小型化门路图。

▲IMEC的逻辑器件小型化门路图

上行技术节点称号下标注的PP为多晶硅互连线的节距（nm），MP为精细金属的布线节距（nm）。需求留意的是，以前的技术节点指的是非常小加工尺寸或栅极长度，当今只是“标签”，并不指某一名置的物理长度。

这里说明的布局和质料，如BPR、CFET和应用二维质料的通道等，曾经独自刊登。

EUV的高NA对进一步小型化至关紧张

据台积电和三星电子说明，从7nm工艺首先，片面工艺曾经推出了NA=0.33的EUV光刻装备，5nm工艺也实现了频率的进步，但关于2nm往后的超精细工艺，需求实现更高的分辩率和更高的光刻装备NA（NA=0.55）。

▲合乎逻辑器件工艺小型化的EUV光刻体系技术门路图

据IMEC说明，ASML曾经实现了作为NXE:5000系列的高NA EUV暴光体系的根基计划，但贸易化决策在2022年摆布。这套下一代体系将因其庞大的光学体系而变得非常宏伟，非常有可能顶在古代洁净室的天花板下。

▲目前EUV光刻体系（NA=0.33）（正面）与下一代高NA EUV光刻体系（NA=0.55）（反面）的尺寸相对。

ASML以前一直与IMEC慎密同盟开发光刻技术，但为了开发应用高NA EUV光刻对象的光刻工艺，在IMEC的园区里建立了新的“IMEC-ASML高NA EUV试验室”，以激动配合开发和开发应用高NA EUV光刻对象的光刻工艺。该公司还决策与质料提供商同盟开发掩模和抗蚀剂。

Van den hove非常后显露：“逻辑器件工艺小型化的目标是低落功耗、进步机能、削减面积、低落老本，也即是平时所说的PPAC。除了这四个目标外，跟着小型化向3nm、2nm、1.5nm，乃至逾越1nm，到达亚1nm，我们将起劲实现情况友爱、适用可连接开展社会的微处分器。”他显露，将继续起劲于工艺小型化，阐扬出了极大的热心。

▲夸大PPAC-E，在古代PPAC的底子上增加了E（情况）的工艺小型化。