研究机构：内含氮化镓 GaN 晶体管/系统集成电路终端产品已批量生产

11月15日消息凭据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体汇报》，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需要的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的新兴环境趋向估计在 2021 年突破 10 亿美元。

汇报显露，环球 SiC 和 GaN 功率半导体的贩卖收入，估计从 2018 年的 5.71 亿美元增至 2020 年关的 8.54 亿美元。估计来日十年，每一年的环境趋向收入以两位数增进，到 2029 年将超过 50 亿美元。

GaN 和 SiC 功率半导体环球环境趋向收入展望（单元：百万美元）

SiC 肖特基二极管曾经上市十多年了，比年来出现了 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）和结型场效应晶体管（SiC JFETs）。SiC 功率模块也越来越多，包括混合 SiC 模块（这种模块包括带 Si 绝缘栅双极晶体管（IGBTs）的 SiC 二极管），以及包括 SiC MOSFETs 的完备 SiC 模块（岂论这种模块是否带有 SiC 二极管）。

SiC MOSFETs 在生产商中非常受欢迎，曾经有几家公司供应了这种产品。有几个成分造成 2019 年的平衡费用降落，好比 650 伏、700 伏和 900 伏 SiC MOSFETs 上市，其订价与硅超结 MOSFETs 角逐，又好比供应商之间的角逐加重。

SiC 和 GaN 功率半导体环境趋向趋向

到 2020 年关，SiC MOSFETs 估计将产生大概 3.2 亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相配。从 2021 年起，SiC MOSFETs 将以略快的速率增进，成为非常抢手的分立 SiC 功率器件。同时，只管 SiC JFETs 的靠得住性、费用和机能都非常好，但据展望，SiC JFETs 的收入要比 SiC MOSFETs 少得多。

连结 Si IGBT 和 SIC 二极管的混合型 SiC 功率模块在 2019 年的贩卖额估计大概为 7200 万美元，全 SiC 功率模块在 2019 年的贩卖额估计大概为 5000 万美元。Omdia 估计到 2029 年，全 SiC 功率模块将实现超过 8.5 亿美元的收入，由于它们将被优先用于混合动力和电动汽车动力体系逆变器。比拟之下，混合型 SiC 功率模块将要紧用于光伏（PV）逆变器、不中断电源体系和其余工业使用，带来的增进速率要慢得多。

2019 年以来产生了甚么变更？

当今，SiC 和 GaN 功率器件都稀有万亿小时的器件现场履历。供应商，乃至是新进入环境趋向的企业，都在通过获取 JEDEC 和 AEC-Q101 认证来证实这一点。SiC 和 GaN 器件宛若不存在任何意外的靠得住性疑问；究竟上，它们平时比硅器件更好。

SiC MOSFET 和 SiC JFET 的工作电压较低，如 650V、800V 和 900V，使 SiC 在机能和费用上都能与 Si 超结 MOSFET 角逐。

中文国际得悉，汇报提及，内含 GaN 晶体管和 GaN 体系集成电路的终端产品已投入批量生产，特别是用于手机和条记本计算机疾速充电的 USB C 型电源适配器和充电器。别的，非常多 GaN 器件正由晶圆代工服无供应商生产，在规范硅片上供应里面 GaN 外表晶体发展，跟着产量的增长，产能可能无尽扩展。