紫光国芯发布格芯 12 纳米工艺的 GDDR6 存储控制器
11月6日消息 凭据西安紫光国芯半导体的消息，紫光国芯在GLOBALFOUNDRIES（格芯）举行的中国环球科技集会上正式公布了基于格芯12纳米低功耗工艺（GF 12LP）的GDDR6存储控制器和物理接口IP。
官方显露，与已有的计划比拟，新计划在芯片功耗、面积和老本等方面均有明显的提升，并能满足在面向人工智能（AI）和计较使用等热门领域接续增进的需要。
中文国际打听到，西安紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP包含一个可建设的内存控制器（MC），其彻底合乎DFI3.1和AMBA AXI4.0标准，并容许计划工程师生产具有优化耽误和带宽的GDDR6控制器以满足高机能使用的要求，如显卡，游戏机和AI计较等。该IP针对功耗和机能举行了优化计划，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）供应了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速度，同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。物理接口（PHY）片面还嵌入了高机能锁相环以满足严酷的时序标准。与主流GDDR6存储颗粒集成，经由流片测试考证，该IP的机能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足计划规格要求。且当数据率为16Gbps时，平衡每个DQ的非常大功耗小于4mW/Gbps。
当前，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP曾经在格芯的12LP工艺领域上架。
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