全球首台！苏大维格大型紫外 3D 直写光刻设备 iGrapher3000 投入运行
7月28日消息苏大维格科技官方揭露，大型紫外 3D 直写光刻装备 iGrapher3000下线并投入工业运转。iGrapher3000 要紧用于大基板上的微纳布局描写的 3D 光刻，是新颖质料、优秀光电子器件的计划、研发和生产的斩新平台，号称为光电子家当基石性装备，为家当同盟缔造新时机。
从集成电路图形的平面光刻，迈向光电子的 “微布局描写”的 3D 光刻，iGrapher3000 为新颖质料和功效光电子器件供应了优秀手法，下图为 iGrapher3000 紫外 3D 光刻装备（110 吋幅面，2500毫米x1500毫米）照片和微纳布局描写 SEM 照片。
这次安置在维业达科技有限公司黄光车间的 iGrapher3000，首个工业使用项目是大尺寸透明导电膜的深槽布局微电路模具，并将用于大面积平板成像、柔性导电器件和全息表现与 3D 表现研发和家当化使用。
面向大面积新颖质料与功效器件的需要，大型紫外 3D 光刻体系面对的搦战有：
初次，表白 “微纳布局描写”的数据量极大，如，55 吋幅面透明电路图形数据量大概 15Tb，相像尺寸平板透镜的微布局数据量 >150Tb；
其次，海量数据数据的运算、压缩传输与高速率光电转换技术；
第三，三维数字光场暴光模式与好处机理；
第四，微纳布局描写的切确光刻工艺，包含 3D 相近效应赔偿、自顺应 3D 导航自聚焦模式；
第五，高速行动平台、紫外光机体系生产工艺与纳米精度掌握技术。
苏大维格科技说明，苏大维格浦东林博士率领科研人员，十多年来一直发展 3D 光刻技术、纳米光刻硬应用、数据处分算法和严紧掌握技术研发。经多轮迭代，霸占了 3D 光刻重大瓶颈，研制胜利以 iGrapher3000 为代表的系列紫外 3D 直写光刻装备并在工业界使用。
中文国际得悉，iGrapher3000 领先在 110 吋幅面玻璃基板上实现连续面型微布局大面积平板器件，深度局限 50nm~20 微米；领先确立海量数据处分才气并转化成所计划的微纳布局描写，波及单文件数据量达 600Tb；领先确立支撑 110 吋光刻胶板厚胶制程（2 微米~ 25 微米），用于后继印版工业化生产。
大面积 3D 光刻印版（110 吋，自立制备，厚胶制程）
iGrapher3000 优秀功效：
13D 矢量计划数据向微布局描写转化优秀算法与应用；
2海量数据文件及时处分 / 传输 / 同步写入疾速光刻；
3大面积衬底及时三维导航自聚焦功效；双驱动龙门构架严紧掌握技术；
4三维微布局描写暴光相近效应赔偿；
5大面积光刻厚胶板的制备工艺。
在芯片、光电子、表现家当和科学研究中，光刻（lithography）属于底子工艺。高端光刻装备永远被国际企业把持。
苏大维格科技说明，在芯片家当，光刻机有两品种型：初次种是投影光刻机（Projection Lithography），将光掩模图形缩微并光刻到硅片上，制备集成电路图形，非常细线宽达 5nm，如 ASML 极紫外 EUV 投影光刻机。日本 Nikon 的 i 系列和 Canon 的 FPA 系列高精度步进投影光刻机；
其次种是直写光刻机（Direct Writing Lithography），用于 0.25 微米及以上节点的芯片光掩模版、0.18 微米节点以下的片面光掩模制备（别的节点掩模，用电子束光刻 EBL 制备，大概占 25%），如美国使用质料公司（AM）ALTA 光刻机；在表现面板行业，如瑞典 Mycronic 公司，Prexision10 激光直写光刻体系，用于 10 代线光掩模制备，Nikon 大型投影扫描光刻机（FX 系列），用于将光掩模图形扫描光刻到大尺寸基板上，形成 TFT 电路图形。所以，IC 集成电路、表现面板等平台，直写光刻机的好处是将计划数据制备到光刻胶基板上，成为光掩模，用于后道投影光刻复制。
集成电路的 2D 图形
上述两类光刻机均属于 “平面图形”光刻机，用于薄光刻胶制程。无论直写光刻或是投影光刻，都是集成电路和光电子家当的关节装备。直写光刻属于泉源型关节关节，称为 Pattern Generator。
苏大维格科技显露，本次投入运转 iGrapher3000，“3D 描写“光刻属于厚胶工艺，要紧用于光电子质料和器件的制备，好处是将计划数据制备到厚光刻胶基板上，成为具备三维描写的纳米印版，用于后道压印复制。下图为用于 3D 表现的微布局描写 SEM 照片。
光电子器件的 3D 微布局 SEM 照片
iGrapher3000 壮大 3D 光刻功效：以三维导航遨游扫描模式暴光，一次扫描暴光形成三维微纳布局描写；支撑多花样 2D、3D 模子数据文件，支撑数百 Tb 数据量的光刻，写入速率大于 3Gbps；具备数据处分 / 传输 / 写入同步的疾速光刻功效；幅面：110 英寸；光刻深度局限：50 纳米~ 20 微米 @深度分辩率 10nm，横向线宽 >0.5 微米 @数字分辩率 100nm@355 纳米紫外波长，非常快扫描速率 1m/s。
表面上，微纳布局描写具备 5 维度可控变量，支撑种种光场和电磁长调控质料与器件计划与制备。下图为 iGrapher3000 在大面积衬底上制备的种种用途的微纳布局描写的 SEM 照片。
作为对比，用于芯片极紫外投影光刻机（EUV），追求极细线宽（已达 5nm），难度在于极其的精度掌握和高产率（极紫外光源、行动平台和套刻精度），芯片的投影光刻，用光掩模图形缩微复制，不波及海量数据处分等疑问；用于光掩模的直写光刻装备（LDW），将规律电路图形转化为光掩模，形成表现 TFT 光掩模。与集成电路的薄胶光刻工艺差别，用于微纳布局描写的 3D 光刻，追求描写与比较分列精度（凭据用途差别），难度在于海量数据处分与传输（数百 Tb）、大面积的布局功效计划与优秀算法、3D 光刻与 3D 相近效应赔偿等保真度工艺等，深度局限：50nm~20 微米，精度局限：1nm~100nm。可见，3D 光刻机在功效与用途上，与以往 2D 光刻机有明显的差别。
苏大维格科技称，iGrapher3000 为新颖光电子质料与功效器件的研究和家当创新，开发了新通道。要紧用于大尺寸光电子器件、超构表面质料、功效光电子器件等在内的微纳描写和深布局的制备，包含大尺寸透明电路图形、高精度柔性触控传感器、高亮投影屏、全息 3D 表现、MiniLED 电路背板、高光效匀光板、底细配备光子器件、大口径透明电磁屏障质料等。
iGrapher3000 也可用于平板表现家当和柔性电子家当的光掩模制备，并为高精度大口径薄膜透镜的计划制备供应了计谋研发资源。
下图为大尺寸柔性导电质料、大尺寸光场调控器件和大型 miniLED 背光的微电路背板。
大尺寸柔性触控屏的微电路 3D 光刻制备
miniLED 高光效匀光板、大口径投影屏的 3D 光刻制备
大尺寸 miniLED 背板与透明立体表现屏的 3D 光刻制备
官方说明，苏大维格光刻仪器事业部在光刻技术与装备平台研制了多种用于 MEMS 芯片的光刻装备 MiScan200（8”~12”）、微纳光学的 MicroLab（4”~8”）和超表面、裸眼 3D 表现、光电子器件研究的纳米光刻装备 NanoCrystal（8”~32”）。这些新型光刻装备在企业和上等院所宽泛使用，办理了我国多个平台研究中的卡脖子疑问，为新型光电子器件、新质料、MEMS 芯片和传感器件的研发供应了自立可控的优秀手法。
2020 年 1 月 10 日，在国度科技嘉奖大会上，苏大维格负担的 “面向柔性光电子的微纳生产关节技术与使用”功效，荣获国度科技进步奖二等奖。