雄关漫道真如铁，长江存储国家存储器基地项目二期开工
6月22日信息 凭据长江存储官方的信息，由长江存储实行的国度存储器基地项目二期（土建）于6月20日在武汉东湖高新区出工。
据说明，长江存储国度存储器基地项目由紫光团体、国度集成电路基金、湖北省科投团体和湖北省集成电路基金配合投资建设，决策分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年关出工建设，希望顺利，32层、64层存储芯片产品已完成巩固量产，并胜利研制出环球首款128层QLC三维闪存芯片。
在出工典礼上，紫光团体、长江存储董事长赵伟国说明了项目相关环境。他显露，国度存储器基地项目一期出工建设以来，从一片荒废之地造成了一座世界当先的存储器芯片工厂，完成了技术水平从跟跑到并跑的跨越。
中文国外曾报道，4月份，长江存储科技有限义务公司揭露其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发胜利，并已在多家掌握器厂家SSD等终端存储产品上通过考证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070领有业内已知型号产品中非常高单元面积蓄储密度，非常高I/O传输速度和非常高单颗NAND 闪存芯片容量，领有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。
上一篇：
七彩虹/江波龙发布全球最小尺寸……
下一篇：
小爱同学初次登陆电脑！小米小爱……