国家存储器基地项目二期于武汉开工：月规划产能20万片
国度存储器基地项目二期在武汉东湖高新区出工。国度存储器基地项目由紫光团体、国度集成电路基金、湖北省科投团体和湖北省集成电路基金配合投资建设，决策分两期建设3D NAND闪存芯片厂家。
国度存储器基地项目一期于2016年关出工建设，希望顺利，32层、64层存储芯片产物已完成巩固量产，并胜利研制出环球首款128层QLC三维闪存芯片。
项目决策分两期建设3D NAND闪存芯片厂家，总投资240亿美元。
其中，一期要紧完成技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
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