三星正在开发第七代 V-NAND 闪存，至少达到 160 层
4月20日信息 凭据外媒TechPowerUp的报道，三星电子正在开辟其第7代V-NAND闪存，初次款产品将至少到达160层。
外媒显露，三星的160层的V-NAND产品大概会在长江存储128层产品大批上市时推出，时间大概是2020年关。
中文国外曾报道，4月13日，长江存储科技有限义务公司揭露其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发胜利，并已在多家掌握器厂家SSD等终端存储产品上通过考证。长江存储显露，X2-6070领有业内已知型号产品中非常高单元面积蓄储密度，非常高I/O传输速度和非常高单颗NAND 闪存芯片容量，领有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。
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