长鑫国产DDR4内存条曝光：8GB单条，2666频
2月25日信息 中文国外昨年曾报道，长鑫存储正应用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，指标是在2020年初次季度上市。现在，一位中文国外用户就暴光了新款内存的表面和参数。
上图清单中列出长鑫的条记本和台式机内存，容量都是8GB，速度都是DDR4-2666，电压为1.2V，时序未知。
中文国外曾报道，长鑫存储科技有限公司曾经首先应用19纳米制造技术制造DDR4内存。当前，该公司曾经制定了至少两个10纳米级制造工艺的门路图，并决策在未来制造全部类型的DRAM。不但云云，长鑫存储还决策再建两个晶圆厂来进步产量。长鑫存储还将应用一样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术门路图包含17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。
现在京东搜索内存条，能够发现8GB DDR4 2666的费用曾经比昨年有所升高。
上一篇：
加赠1个月，优酷VIP年卡5折……
下一篇：
曝华为MateBook X P……