长鑫储存19nm DDR4内存将于明年上市，LPDDR4X正在路上
12月3日信息 凭据AnandTech的报道，长鑫存储科技有限公司曾经首先应用19纳米制造技术制造DDR4内存。当前，该公司曾经制定了至少两个10纳米级制造工艺的门路图，并决策在未来制造全部类型的DRAM。不但云云，长鑫存储还决策再建两个晶圆厂来进步产量。
据报道，当前，长鑫存储正应用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，指标是在2020年初次季度上市。长鑫存储还将应用一样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术门路图包含17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。
凭据以前的报道，长鑫存储降生于2016年，专业从事动静随机存取存储芯片(DRAM)的研发、制造和销售，当前已建成初次座12英寸晶圆厂。
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