美光第四代3D NAND芯片出样，高达128层
10月5日信息 日前，美光揭露初次批第四代3D NAND存储芯片流片曾经出样，斩新的第四代3D NAND基于美光的RG架构，估计2020年美光第四代3D NAND闪存将首先商用。只管云云，美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定使用，所以来岁其3D NAND老本减少将微乎其微。
美光第四代3D NAND高达128层，阵列计划技巧上连续使用CMOS。美光第四代3D NAND转变了用于栅替代的浮栅技术，如许能够降低尺寸和老本并进步性能。该技术彻底由美光公司开辟，没有英特尔介入。
美光现阶段正进步96层3D NAND的产量，并于来岁首先大批使用。128层3D NAND硬件不会登时导致每比特老本显然降落，不过会跟着时间推移而降落。后续工艺节点也大概具有起码128层，而且若被广泛使用，它将大大降低产品每比特老本。
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