外媒：三星A Die芯片出货后，DDR4内存将更低廉
9月8日信息 不久前，三星首先出货首批1z纳米（12-14nm）光刻工艺的A Die芯片，外媒WCCFTECH觉得，A Die芯片的出现将使得DDR4 内存加倍低廉。
WCCFTECH显露，三星的DDR4 B Die是在20nm制程上生产的，费用比较昂贵，但却受到了世界各地超频醉心者的喜好，由于这些内存能够到达非常高时钟速度。
比拟之下，三星的A Die接纳1z nm制程，这将使三星在大幅降低RAM费用的同时增长产量。
固然10nm制程具有更高的范围经济效益和更小的物理模具，但也存在少许问题。三星A-die内存编号M378A4G43AB2-CVF，支持高密度双面计划，容量32 GB，时钟速度没有甚么分外之处(2933 MHz)，不过CL21-21-21的时序却非常高。比拟之下，大无数DDR4三星B Die在这个频率下能够低至CL17。不过，值得留意的是，跟着三星流程的成熟，这一点大概会获得改进。
WCCFTECH觉得，三星的B-die大概陡然变得昂贵得多。英国电子零卖商MemoryCow已将三星M378A4G43AB2-CVF模块上市，售价128.33英镑，大概1100元。
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