美光开始量产16Gb 1z nm DDR4内存，功耗降低40%
8月17日信息 凭据TPU的报道，美光曾经首先量产1z nm(12nm到14nm)的16Gb DDR4，密度更高，功耗低落了40%。
据说明，与前一代1Y工艺比拟，1z nm工艺的16Gb DDR4产物具有更高的比特密度，性能略有进步，老本也更低。与前几代8Gb DDR4 RAM办理计划比拟，新节点还使功耗低落了40%。
美光还揭露，它曾经首先批量出货业界容量非常大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，1z nm LPDDR4X和uMCP4产物要紧针对智能手机。
美光在DRAM市场的要紧角逐对手三星(Samsung)昨年春季揭露，将在2019下半年首先制造1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产物的推出做筹办。
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