三星3纳米制程领先台积电？台湾专家表示不屑
8月14日消息 据台湾媒体报道，三星展现了“环抱闸极”（GAA）制程技术，堪称3纳米当先台积电一年。这毕竟不是真的？
台湾知产力专家社交创办人曲建仲说明，场效电晶体（FET）是非常基本的电子元件，电子流入再流出，由一个闸极开关掌握电子导通代表1或不导通代表0，科学家将它制作在硅晶圆上，是数字灯号的非常小单元，一个FET代表一个0或一个1，即是电脑里的一个位数。
“制程节点”代表闸极的“平衡长度”，会随制程技术的进步而变小，当收缩到14纳米如下碰到问题，所以发现了“鳍式场效电晶体（FinFET）”，不过5纳米如下又碰到问题，才出现“环抱闸极场效电晶体”。
曲建仲指出，GAA的道理非常简略，即是增长闸极与电子通道的接触面积，能够增长掌握结果削减走电流。除了三星，各家晶圆厂早就在开展GAA，只是布局稍有差别，由于尝试结果没有比FinFET好，良率又低，所以没有拿这个私有名词来“唬人”而已。
曲建仲夸大，三星展出的“程度式”GAA和FinFET机能迥异不大，这次三星讲GAA只是用私有名词来唬门外汉，报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电，“只能说不是想像力太富厚，即是三星的营销相对锋利”。
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