三星宣布量产新型250GB SSD，搭载第六代TLC V-NAND
8月6日消息本日上午三星揭露首先大范围生产新式250GB SATA固态硬盘(SSD)，集成了三星的第六代256Gb 3-bit V-NAND。
三星称，行使“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND比之前的90+层单堆叠布局增长了大概40%的层数，到达了136层。
跟着每个单位堆叠高度的增长，NAND闪存芯片更容易出现错误和读取耽误。为了降服这种范围性，三星从新举行电路计划，使它获取非常快的数据传输速度，低于450微秒(μs)写操纵和低于45μs读取耽误。与上一代比拟，这意味着机能进步了10%以上，而功耗低落了15%以上。
三星显露，依附高速和低功耗的特点，三星不但决策将其3D V-NAND扩大到下一代挪动装备和企业服务器等平台，还决策进军高靠得住性极端环节的汽车市场。
继本日推出250GB SSD以后，三星决策在2019下半年推出搭载512Gb单位的3bit V-NAND SSD和eUFS。
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