内存价格降至冰点，但美光正在为DDR5扩大产能

6月30日消息 在本周早些时候与投资者和金融剖析师召开的收益电话会议上，美光对其永远来日及对其产品的强大需求显露了信念，该公司还概述了扩展产能的决策，并迅速转向更优秀的工艺技术。

美光显露，“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等宽泛的永远趋向驱动，影象和存储的永远需求远景有目共睹”美光公司首席实行官桑杰·梅赫特拉（Sanjay Mehrotra）说。“美光公司已筹办好行使这些趋向，创新产品，疾速相应的提供链，与环球客户确立良好关系。”

因为提供超过需求，近几个季度DRAM费用大幅下降。为了低落老本并为内存的新应用的出现做好筹办，DRAM生产商正在踊跃地转向更新的工艺技术。与此同时，固然承认他们需求平均DRAM的供需，但他们现实上曾经订定了踊跃的产能扩张决策，因为他们需求更多的清洁室用于即将到来的生产技术。

美光公司在生产工艺方面领有踊跃的门路图，当今又增长了4个10纳米级节点（统共6个10纳米级技术），该公司正在研究终极向极紫外光刻（EUVL）的过渡。美光还在扩展其生产才气，以便为下一代应用生产下一代存储器，即为花费级筹办32 GB内存模块，为服务器筹办64 GB DIMM。

本月早些时候，我们报道了美光的16 Gb DDR4内存芯片，该芯片接纳该公司的其次代10纳米级生产工艺（也称为1Y nm）生产。这些DRAM芯片曾经在用于威刚和英睿达的32 GB DDR4内存条中，这些产品也将不久后上市。

▲美光旗下英睿达的32GB单条内存

早在4月份，为了应对DRAM和新工艺技术需求的增长，美光存储台湾（前雷克斯光电半导体）新清洁室破土开工。

美光积储（台湾）早已在应用美光的初次代10纳米级生产技术（也称为1X nm）生产DRAM产品，并将在不久的来日干脆进入第3代10纳米级工艺（别名1Z nm） 。与此同时，昨年美光在台中左近开辟了一个新的测试和包装办法，缔造了世界上唯独的垂直集成DRAM生产办法之一。

别的，美光公司揭露决策在日本广岛左近的公厂内投入20亿美元用于新的清洁室。据报道，新的产能将用于生产美光13纳米工艺技术的DRAM。

总的来说，美光将领有多个10纳米级节点。除了当前应用的初次代和其次代10纳米级工艺技术外，美光还决策推出起码四种10纳米级生产工艺：1Z，1α，1β和1γ。

当前，美光公司正在生产其次代10纳米级生产工艺（即1Y nm），包含该公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。

该公司的下一代1Z nm当前已获取客户的承认（即，他们正在测试应用该工艺生产的种种芯片），估计将在近期揭露，该技术将用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

继1Z nm节点以后，美光决策首先应用其1αnm生产技术以获取更高的产量，这意味着它正处于后期开辟阶段。以后是1βnm生产工艺，该工艺也是处于早期开辟阶段。

美光没有介绍在1γnm工艺以后是否会干脆进入EUV。该公司正在评估ASML的Twinscan NXE步进扫描功效以及应用极紫外光刻技术生产所需的其余装备，并正在评估这些对象什么时候可用于生产DRAM。

（本文编译自AnandTech)