大容量TLC固态来了！SK海力士开始生产128层4D NAND

6月26日消息 本日，SK海力士揭露已完成128层1Tb 3D TLC NAND闪存的开辟。这款新式存储器接纳了该公司的CTF计划，以及“4D”NAND的PUC架构。新的128层TLC NAND闪存装备将在2019下半年出货。

1 Tb 128层“4D”TLC NAND

SK海力士的1 Tb 128层TLC NAND芯片具有四个平面以及1.2伏特的1400 MT/s接口，不但比上一代产品加倍集中，并且至少快16％。SK海力士显露其CTF计划能够完成更快的编程时间（tPROG）以及更快的读取时间（tR），实际机能提升大概更高。

为了在其第六代3D NAND芯片内堆叠128层，该公司不得不接纳多层计划以及众多新技术，包含超匀称垂直蚀刻技术以及高靠得住性多层薄膜电池形成技术。同时，为了在不增长器件功耗的环境下进步I / O总线的机能，SK海力士完成了超疾速低功耗电路计划。

值得留意的是，与96层TLC NAND比拟，过渡到CTF + PUC架构以及种种优化使SK Hynix能够或许将工艺步调数削减5％，并将每个晶圆的钻头生产率进步40％。

SK海力士将在2019下半年首先出货的首批1 Tb 128层TLC NAND芯片将要紧用于挪动存储装备，如USB驱动器和存储卡。

末了，SK海力士显露当前正在开辟176层4D NAND闪存，但没有吐露什么时候能够推出。