三星3D V-NAND技术再增强，SSD固态硬盘容量可翻番
讯8月12日消息，在美国闪存峰会（FMC）上，三星揭露旗下3D V-NAND技术再获冲破，堆叠层数从之前的非常多32层开展到了48层，在一样的芯片面积下，容量非常多可以增进两倍，而功耗低落了30%。
三星的V-NAND技术摒弃了古代的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（Charge Trap Flash，简称CTF）计划，每个单位更小，由于电荷积储在绝缘层而非导体上，理论上单位在不传输数据的时候可以到达0花消，而且，V-NAND的体积更小、靠得住性更高。三星V-NAND闪存的擦写次数可以到达35000次，而当前MLC闪存的擦写次数遍及在3000次摆布，这也即是为什么三星显露V-NAND的靠得住性进步了2-10倍摆布的缘故。
作为三星的第三代V-NAND技术，每片芯片包括了8530万个单位，每个单位可以或许存储3bit的消息，换句话说，接纳了第三代V-NAND技术的SSD固态硬盘单个芯片能到达256GB的容量，也即是一块SSD硬盘能到达2TB容量。更大容量的NAND有着更少的搅扰，编程时间会更短，这意味着机能会进步。别的，更大容量的NAND的读写不需求辣么屡次的重试，所以总功耗也会更低。
据悉，三星非常新的V-NAND硬盘将首先提供企业用户，并在2016年第1或第2季度投入花费级产品的生产。
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