三星再出新招：固态硬盘成新宠欲将取代机械硬盘
讯凭据Engadget的报道，作为世界非常大固态硬盘生产商之一，三星决策将在旗下的SSD新产品顶用上3-Bit MLC以及与TLC V-NAND同样为人所熟知的3D垂直V-NAND闪存技术，将代替旧爱HDD机器硬盘。
3bit V-NAND闪存，行使三星独占3D电荷捕捉型栅极存储单位布局技术，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单位构成，单片闪存的存储容量可达128GB，而且这种技术在非常近推出的850 EVO曾经开始投入量产。
在此之前，三星的V-NAND技术曾经可以或许量产而且使用到自家的旗舰系列850 Pro固态硬盘上，同时这种技术也堪称有着十年的性命期。关于渴望固态硬盘带来的高速快感，不过却因容量需要和费用被动选定旧式硬盘的用户，这必定是一个好消息。
科普：甚么是3D V-NAND技术？
三星SSD斩新3D V-NAND技术3D是指立体存储，V指的是垂直存储，提及来即是不再追求收缩cell单位，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单位，这样也可以或许到达容量增加的目标。三星3D V-NAND技术分为两片面，3D(立体)化和V(垂直)堆叠化开始来看看3D化的含义：NAND使用的是浮栅极MOSFET，电子积储在栅极中，每次写入都邑花消栅极中的电子，一旦电子用光那就寿终正寝了三星摒弃了古代的浮栅极布局，而是选定了用掌握栅极和绝缘层将MOSFET环形包裹起来。这种3D环形布局计划提升了积储电荷的的物理区域，从而进步机能和靠得住性。
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