三星：芯片甚至可以缩至5纳米以下
讯2月26日信息，三星当前显然位于挪动芯片研发的前沿，即将公布的Galaxy S6新款旗舰会搭载应用14纳米工艺打造的Exynos 7420处分器；三星以前揭露已研发了10nm FinFET，挪动芯片的体积能够进一步收缩。
辣么挪动芯片非常大能够收缩至何种程度呢？看上去答案是5纳米。三星Kinam Kim在正在举办的ISSCC大会上证明“当前挪动芯片收缩至5纳米没有基础性的难题”。概括少许不太起眼的制造技术，三星显然表明挪动芯片能够进一步收缩，乃至能够或许到达3.25纳米，但是这个研发过程显然需求花消几年的时间。
从当前暴光的信息来看，接纳14纳米工艺打造的处分器性能更为刁悍，加倍节能，这也会是三星Galaxy S6的一大亮点。（via：）
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