东芝佳能开发3D闪存，容量激增
为了控制大容量存储器新技术，加强与韩国三星等公司的角逐能力，日本东芝和佳能两家公司决意联合研发高性能3D闪存，力图在2016年投入量产。
3D闪存是下一代闪存技术，比较于2D闪存技术，3D闪存把存储单位垂直叠加，可大幅进步存储器容量，但对制造工艺要求更高。2013年，三星推出一款128GB的3D闪存芯片，成为首家量产3D闪存的公司。
据东芝公司官方网站表露，跟着大数据期间到来，对可以或许存储大批数据的存储器的需要将急剧增长。为了在家当角逐中与韩国三星等公司对抗，东芝决意与佳能公司同盟，行使各自的技术优势联合研发。
东芝制造3D闪存的新工厂估计将于2015年夏季收工，决策从2016年首先批量制造3D闪存。
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