手机4G内存不是梦，三星2014年批量产
谙习三星挪动装备的用户，都晓得Galaxy Note 3建设了3GB的机身运行内存（RAM），不管是多使命处分，或是使用法式运行都带来非常大的提升，但3GB RAM只是首先，三星当前曾经研发了首款8千兆位低功耗DDR4内存芯片，也意味着挪动端将迎来4GB RAM运行内存容量。
新的8Gb低功耗DDR4挪动内存将会使用LVSTL I/O接口（Low Voltage Swing Terminated Logic），而这也是三星与JEDEC同盟制定的低功耗DDR4中的其中一项规范。
新款低功耗DDR4将可以或许在每pin领有高达3,200 Mbps的传输率，相较于当前20nm制程的低功耗DDR3，要迅速上2倍之多。另一方面，低功耗DDR4将会比现有的DDR3更省电，要紧是其额定电压为1.1V。
据三星官方说明，这款产品将会在2014年内大范围量产，适用于搭载Ultra HD屏幕的、和。
来岁的Galaxy Note 4非常有大概搭载4G RAM。
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