美光宣布全球首款 232 层 TLC NAND 芯片出货
7 月 26 日信息，本日，美光公司揭露已首先量产环球首款 232 层 NAND，与前几代美光 NAND 比拟，它具有业界非常高的面密度，并供应更高的容量和更高的能效。
美光技术和产物实行副总裁 Scott DeBoer 显露：“美光的 232 层 NAND 是存储创新的分水岭，初次证明了将 3D NAND 扩大到 200 层以上的制造才气。”
官方显露，美光的 232 层 NAND 技术完成业界非常迅速的 NAND I / O 速度：每秒 2.4 GB，比美光 176 层 NAND 迅速50%。美光的 232 层 NAND 完成了有史以来非常高的每平方mm TLC 密度：14.6 Gb/mm
。232 层 NAND 接纳新的 11.5 mm x 13.5 mm封装发货，其封装尺寸比美光前几代产物小 28%。
中文国外打听到，美光的 232 层 NAND 现已在该公司的新加坡工厂量产，非常初将以组件模式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产物线向客户发货。
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