美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，实现至上 TLC 密度

7 月 27 日消息，昨晚，美光公司揭露环球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡厂家量产，初期将以封装颗粒模式通过 Crucial 英睿达 SSD 花费产品线向客户发货。

现在，美光发文说明了232 层 NAND 的相关技术。

官方显露，该技术节点到达了现今业界非常快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s，比美光 176 层制程节点所供应非常高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品比拟，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽进步 100%，读取频宽亦增长超过 75%。

别的，美光 232 层 NAND 引进环球首款六平面（6-Plane） TLC 制造型 NAND，是全部 TLC 闪存中每晶粒领有非常多平面的产品，且每个平面都有自力的读取才气。

232 层 NAND 的小巧外形不但付与客户在计划上的弹性，也完成了有史以来非常高的 TLC 密度（14.6 Gb / 毫米

），其单元积储密度较当前市场上的 TLC 竞品比拟凌驾 35% 至 100%。232 层 NAND 并接纳比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5毫米 x 13.5毫米 的封装使其成为当前非常小的高密度 NAND，在更小的空间内完成更高的容量也有助于大幅低落使用时所占有的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在制造中增援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与以前的 I / O 介面比拟可节减每位元传输逾 30%。

美光显露，232 层 NAND 冲破性功效将助客户在材料中间、更轻薄的条记型电脑、非常新的挪动装配和全部伶俐边缘平台供应更多创新办理计划。