浙江大学杭州国际科创中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅单晶生长成功，且晶体质量达到业界水平
7 月 28 日消息，据浙江大学杭州国际科创中间公布，即日浙江大学杭州国际科创中间优秀半导体研究院-乾晶半导体团结试验室和浙江大学硅质料国度重点试验室在浙江省“斥候决策”等研发项目的资助下，胜利发展出厚度到达 50 毫米 的 6 英寸碳化硅单晶。该紧张希望意味着，碳化硅衬底老本希望大幅低落，半导体碳化硅产业开展或将迎来开展新契机。
据介绍，碳化硅（SiC）单晶作为宽禁带半导体质料，对高压、高频、高温及高功率等半导体器件的开展至关紧张。当前，国内碳化硅单晶的直径曾经遍及能到达 6 英寸，但其厚度平时在~20-30 毫米 之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获取的碳化硅衬底片的数目相配有限。
科研职员显露，增长碳化硅单晶厚度要紧搦战在于其发展时厚度的增长及源粉的花消对发展室里面热场的转变。针对搦战，浙江大学通过计划碳化硅单晶发展装备的新式热场、开展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶发展的新工艺，显赫提升了碳化硅单晶的发展速率，胜利发展出了厚度到达 50 毫米 的 6 英寸碳化硅单晶。并且碳化硅单晶的晶体品质到达了业界程度。
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