SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存：传输速度提升 50%，能耗减少 21%
8 月 3 日信息，本日早些时分，SK 海力士官宣环球初次 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于来岁上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其非常新技术举行了说明。
据说明，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在到达业界非常高仓库层数的同时完成了环球非常小的面积。
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为胜利研发 4D 架构的芯片，公司接纳了电荷捕捉型技术 (CTF，Charge Trap Flash)和 PUC (Peri. Under Cell)技术。比拟 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，制造服从更高的好处。
官方称，新产物每单元面积具备更高的密度，借其更小的面积可以或许在相像大小的硅晶片制造出更多的芯片，所以比拟 176 层 NAND 闪存其制造服从也进步了 34%。
此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，比拟前一代产物进步了 50%，芯片读取数据时的动力花消也削减了 21%。
中文国外打听到，SK 海力士决策先为 cSSD 提供 238 层 NAND 闪存，随后将其导入局限渐渐延长至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于来岁公布 1Tb 密度的斩新 238 层 NAND 闪存产物。
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