豪威集团发布业内公道内阻双 N 沟道 MOSFET，专为手机锂电池电路保护设计
6 月 28 日信息，MOSFET 是一种在电池包装中的安全护卫开关，即日，豪威团体斩新推出两款 MOSFET：业内非常低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。
据官方说明，双 N 沟道加强型 MOSFET，WNMD2196A 具有业内同类产品非常低内阻，RSS (ON) 低至 1mΩ，专为手机锂电池电路护卫计划。WNMD2196A 接纳优秀的沟槽技术计划，供应杰出的 RSS (ON) 的同时完成低栅极电荷。载流子迁徙速度迅速，阙值电压低，开关速度高，可完成更高的效率和更低的温升。
中文国外打听到，WNM6008——80V 高功率 MOSFET，接纳非常新一代 Shield Gate 技术，针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率举行了优化，具备超低 FOM 值（开关使用紧张优值系数）。WNM6008 适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。可有用赋能太阳能、电源和电池供电（比方电动代步车）等使用。
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