消息称长江存储将直接挑战 232 层 NAND，并于 2022 年底量产
6 月 14 日信息，3D NAND 200 层仓库以上赛局加速睁开，存储器大厂美光 (Micron) 此条件出业界首家 232 层仓库 3D NAND 闪存将于 2022 年关前领先量产。
据 DigiTimes 报道，即日市场传言称，长江存储将跳过原定 192 层技术，直接搦战 232 层 NAND，并于 2022 年关量产。
据报道，存储器相关业者指出，云云一来，长江存储可望进步其余 NAND 大厂如三星电子、铠侠等的脚步，并于 2023 年将慢慢拓展 232 层 NAND 产能比重，为环球 NAND 家当竞赛投下重磅炸弹。
中文国外打听到，长江存储已推出 128 层 3D NAND 闪存，此前有信息称已向少许客户交付了其自立研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品。
此外，市场调查人士觉得，三星电子估计将在 2022 年晚些时分进入 200 层以上 3D NAND 闪存的角逐。
上一篇：
国内初次 AMD RX 665……
下一篇：
小米电视盒子 4S Max 确……