英特尔介绍 Intel 4 工艺：2 倍密度，性能提升超 20%，14 代酷睿初次

6 月 13 日消息，据 AnandTech 消息，英特尔现已互鉴了少许相关其下一代 Intel 4 工艺的消息。

据报道，该工艺将用于 2023 年公布的产品，它是英特尔初次个接纳 EUV 的工艺。

Intel 4 将开始用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处分器，该处分器将属于英特尔第 14 代酷睿家属。除了在工艺技术上获得显然进步外，Meteor Lake 还将成为英特尔的初次个基于 tile / chiplet 的客户端 CPU，应用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等tile 模块。

英特尔公布的数据表现，Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米，是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。一样，接触栅之间的间距现在为 50nm，低于之前的 60nm。英特尔宣称 Intel4 的密度是 Intel7 的2 倍，大概更详细地说，晶体管的尺寸削减了一半。

别的，新工艺对金属层举行了重大变动。英特尔在其Intel 7 工艺的非常底层用钴代替了铜，该公司觉得出于晶体管寿命的缘故，这是须要的。但是，从机能的角度来看，钴并无辣么好，永远以来人们一直质疑钴是英特尔Intel 7的要紧绊脚石之一。

关于 Intel 4，英特尔仍在应用钴，但现在他们应用的不是纯钴，而是所谓的加强铜 (eCu)，即铜包覆钴。

机能方面，报道称在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的频率与 Intel7 比拟进步了 21.5%。在 0.85v 及以上时，等功率增益靠近 10%。

英特尔称，Intel4 在电源服从方面的收益更大。在等频（ 2.1 GHz 摆布）下，Intel 4的功耗低落了 40%。跟着频率的增长，收益递减。