性能提升 5 倍，西数崭新 QLC 颗粒写入速度达 60MB/s

5 月 13 日消息，西部数据在 5 月 10 日的公布会中不但公布了一系列新品，还吐露了其 3D 闪存门路图。

西数称，他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND，而西数刚公布的旗舰固态 SN850X 应用的则是 2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。

BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽，并且其 QLC 版本领有比 TLC 版本更小的芯片面积和更高的存储密度，并且固然西数的 BiCS6 QLC 颗粒的堆叠层数比美光和 SK 海力士的 176 层 QLC 闪存要低少许，但存储密度却逾越了它们。

QLC 颗粒自它降生的那天起就被网友们冠上“废品”的名头，缘故即是它不但写入寿命短，缓外写入速度还低的离谱。当用户人群们看到 QLC 硬盘的产品鼓吹页面写着 2000MB/s的写入速度就乐呵呵的将其买回家时，他们还不晓得这些硬盘的缓外写入速度实际上惟有不幸的几十 MB 每秒，乃至不如机器硬盘。

缓外写入速度即为数据干脆在积储颗粒上的写入速度，厂家普通会通过增加 SLC 缓存、假造缓存、DRAM 缓存等手法来减速这种环境的出现。但是这些缓存的容量普通都远小于硬盘的实际容量，关于平价的 QLC 固态来说更是云云。

而西数优化了其 QLC 颗粒的写入速度，BiCS6 的 QLC 版本写入速度到达了 60MB/s，是英特尔 144 层 QLC 的 1.5 倍，是自家 96 层 BiCS4 QLC 的 6 倍还多。只管该速度或是比 BiCS6 的 TLC 版本慢了 60%。

接纳 BiCS6 3D NAND 的 TLC 以及 QLC 固态硬盘将会在 2022 年关生产，并且其幻灯片上还提到了 PLC 颗粒（QLC 的下一代），但官方并未公布其更多消息。

中文国际打听到，西数还称将为企业用户开发 200 多层的 BiCS + 闪存以满足数据中间对高容量和高机能的需要，与 BiCS6 比拟，BiCS + 在积储密度将增进 55%，且其传输速度进步 60%，写入速度也会进步 15%。

除此以外西数还公示了少许正在研发中的技术，好比通过粘合多个晶圆并应用其余优秀技术生产具有 500 多层的 3D NAND，通过门路图得悉该技术希望在 2032 年到来。