南京大学、东南大学团队突破双层二维半导体外延生长核心技术
据科技日报报道，南京大学王欣然传授团队与东南大学王金兰传授团队同盟，完成厘米级匀称的双层二硫化钼薄膜可控外表发展，该功效即日刊登于国际学术期刊《天然》。
论文配合初次作者、东南大学传授马亮说：“这份研究不但冲破了大面积匀称双层二硫化钼的层数可控外表发展技术瓶颈，研制了非常高机能的二硫化钼晶体管器件，并且双层二硫化钼层数可控成核新机制希望进一步拓展至其余二维质料系统的外表发展，为后硅基半导体电子器件的替换质料供应了一种新的方向和选定。”
针对二硫化钼的层数可控外表发展这项极具搦战性的前沿困难，研究团队提出衬底引诱的双层成核以及“齐头并进”的斩新发展机制。论文配合通信作者、南京大学传授王欣然介绍，团队在国际上初次完成大面积匀称的双层二硫化钼薄膜外表发展。
王欣然显露，研究团队行使高温退火工艺，在蓝宝石表面上获取匀称漫衍的高原子台阶，胜利获取了超过 99% 的双层形核，并完成了厘米级的双层陆续薄膜。
随后，团队生产双层二硫化钼沟道的场效应晶体管器件阵列。电学机能评估评释，双层二硫化钼器件的迁徙率比拟于单层二硫化钼提升了 37.9%，器件均一性也得到了大幅度提升；开态电流高达 1.27 毫安 / 微米，革新了二维半导体器件的非常高纪录。
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