弯道超车？三星 3nm 制程有可能先于台积电投产

据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露，三星在对投资人释出的非常新简报中吐露，旗下 3nm 制程将在未来几周内首先投产，进度比台积电更快，力争弯道超车，正式引爆2019台积电与三星非常优秀的制程角逐苦战。

台积电向来过失角逐对手置评。台积电先前于法说会上指出，接纳 FinFET 架构的 3nm 依原规画在下半年量产，将是“下个大发展节点”。

业界人士剖析，三星固然鼓吹 3nm 迈入量产倒数计时，但从晶体管密度、功用等层面剖析，三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家属的 4nm，以及英特尔的 Intel 4 制程相配。

据台媒《经济日报》剖析，三星以“3nm”为非常新制程进度定名，表面上赢了体面，但在晶体管密度、功用等都或是掉队台积电，“实际上或是输了里子”。

TechSpot 等外媒报导，三星向投资人简报显露，正尽力筹办让 GAA 架构的 3nm 制程在2019上半年进入投产阶段，也即是在未来八周内启动量产程序，意味 3nm 量产倒数计时。

三星显露，相较于当前旗下 7nm FinFET 架构制程，新的 3nm 制程所生产的芯片，能够在 0.75 伏特如下的低电压情况工作，使整体耗电量低落 50%，功用提升 30%，芯片体积削减 45%。

剖析师指出，三星的 3nm 制程所能到达的晶体管密度，非常终大概与英特尔的制程 4 大概台积电的 nm 米家属中间的 4nm 相配，不过频宽与走电掌握阐扬会更好，带来更优秀的功用。

但当前无法得悉的非常大变量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前尽力开展的 4nm 制程就因良率太低，导致要紧客户大幅转单台积电。业界传出，当前三星 3nm 良率仅大概 10% 出头，但未获三星证实。

另一方面，三星也未吐露接纳其 3nm 制程的客户。相较之下，台积电总裁魏哲家先前已于法说会上吐露，旗下 3nm 使用有诸多客户介入，估计首年相较 5nm 与 7nm，会有更多新的产品计划定案。

业界觉得，苹果、AMD、英伟达、高通、英特尔、联发科等大厂，都邑是台积电 3nm 量产初期的要紧客户，使用局限涵盖高速运算、伶俐手机等平台。台积电夸大，3nm 2019下半年量产以后，在 PPA（功用、功耗及面积）及晶体管技术都将当先，且有良好的良率，有信念 3nm 会连接博得客户相信。

另外，台积电也已动手举行更优秀的 2nm 结构，预期 2024 年危害试产，指标 2025 年量产，看好 2nm 将是业界非常当先，且是支撑客户发展非常适用的技术。