SK 海力士将展现更快的 12 层 HBM3 内存，三星预热新 GDDR6 芯片

1 月 19 日信息，凭据外媒 VideoCardz 信息，ISSCC 2022（IEEE 国外固态电路大会）即将举行，SK 海力士将展示更迅速的 12 层堆叠的 HBM3 高速内存。此外，三星将公布速度更迅速的 GDDR6 芯片。

SK 海力士于 2021 年初次推出了 12 层 HBM3 内存，速度到达了 820 GB/s，而这款芯片的性能现在能够到达 896 GB/s。

SK 海力士这款 HBM3 内存芯片接纳 TSV 硅通孔工艺生产，单颗非常大容量可达 24GB。当前这类产品在服务器 CPU 中有使用，与处分器焦点慎密封装在一起，完成高速度。海力士还显露，这款芯片使用了主动校准和机械借鉴优化技术。当前，还不晓得该产品是否会非常迅速量产。

中文国外打听到，文件中三星电子也显露，将展示 16Gb（2GB） 27Gb/s GDDR6 显存芯片，该产品将接纳T-coil 电路布局，完成更高的速度。此前的 GDDR6 显存非常高带宽为 24Gb/s，这款新品速度超过了初次代，有望使显卡获取更好的性能阐扬。

ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举行，届时 SK 海力士的高管将说明更细致的内容。