1月19日音讯，据DIGITIMES研讨陈述，随氮化镓(GaN)通信元件于工艺及磊晶手艺继续粗进，将由现止集热较佳的碳化硅基氮化镓(GaNonSiC)构造，晨着行将试产的GaNonGaN及磊晶量量改进后的硅基氮化镓(GaNonSi)架构开展，以撑持后绝6G收集通信正在低轨卫星及智妙手机等场景使用。再……