研究机构：6G 网络将延伸至非地面通讯，推升 GaN 通讯元件新需求
1 月 19 日音讯，据 DIGITIMES 研讨陈述，随氮化镓 (GaN) 通信元件于工艺及磊晶手艺继续粗进，将由现止集热较佳的碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 构造，晨着行将试产的 GaN on GaN 及磊晶量量改进后的硅基氮化镓 (GaN on Si) 架构开展，以撑持后绝 6G 收集通信正在低轨卫星及智妙手机等场景使用。再者，果 6G 收集将整开 4G 取 5G 通信的云端及边沿运算才能，并供给更广大的 6G 收集频段、材料传输率及传输范畴，亦无望推降 GaN 通信元件于下频及下功率情况下的末端需供。（磊晶，Epitaxy 是指一种用于半导体器件制作过程当中，正在本有晶片上少出新结晶，以造成新半导体层的手艺）
因为通信收集手艺的不时晋级，从本来纯真语音传输的 2G 到现止庞大物联网的 5G、再至将来整开多元传感器的 6G 收集，将供给人们愈加便利的通信糊口。6G 收集不管于频谱服从、通信能效及数据传输率等皆更胜 5G，且 6G 具有更广大的收集频段取可撑持非空中通信 (Non-Terrestrial Network；NTN)，无望推抬 GaN 通信元件于 6G 收集死态系的浸透比例。
中文国际理解到，GaN 通信元件果下频及下功率的资料特征，合适正在如基站内的功率缩小器 (Power Amplifier；PA) 等宽苛的任务情况操纵。现止 GaN 通信元件构造少数以集热前提较佳的 GaN on SiC 同量磊晶构造为主。DIGITIMES Research 以为，将来伴随量 GaN on GaN 元件继续问世及 GaN on Si 磊晶量量取得改进，其将渐使用于 6G 收集通信于低轨卫星及智妙手机等末端场景。
上一篇：
芒果 TV 春节狂促开启：会员……
下一篇：
XCY 推出 3 英寸 min……