海力士宣布推出 1anm 工艺,可制造低功耗 LPDDR4-4266 内存

7月12日信息据外媒Neowin信息,韩国芯片制造商SK海力士本日揭露,曾经行使EVU极紫外光光刻机,研发出1anm芯片制造工艺。这项技术比拟今年年推出的1znm工艺,密度更大,制成的芯片功耗更低。官方显露,该技术能够在相像的晶圆面积下,获取多达25%的芯片产量提升。海力士1anm技术能够使得当前智……