海力士宣布推出 1anm 工艺，可制造低功耗 LPDDR4-4266 内存
7 月 12 日信息据外媒 Neowin 信息，韩国芯片制造商 SK 海力士本日揭露，曾经行使 EVU 极紫外光光刻机，研发出 1anm 芯片制造工艺。这项技术比拟 今年 年推出的 1znm 工艺，密度更大，制成的芯片功耗更低。
官方显露，该技术能够在相像的晶圆面积下，获取多达 25% 的芯片产量提升。
海力士 1anm 技术能够使得当前智能手机广泛使用的 LPDDR4 内存芯片到达 4266Mbps 的高速度，与更优秀的 LPDDR4X 芯片频率一致。不但云云，接纳新工艺的内存芯片功耗能够降低多达 20%。
中文国外还打听到，搭载海力士非常新 1anm 工艺内存芯片的智能手机，估计将在今年下半年上市。海力士未来还会将该工艺使用于 LPDDR5 内存的制造上。
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