盛美半导体发布首台应用于化合物半导体制造中晶圆级封装和电镀应用的电镀设备
8 月 26 日信息半导体例造与优秀晶圆级封装领域装备提供商，盛美半导体装备本日公布了新产品 ——Ultra ECP GIII 电镀装备，以支撑化合物半导体 (SiC, GaN) 和砷化镓 (GaAs) 晶圆级封装。该系列装备还能将金（Au）镀到反面深孔工艺中，具有更好的匀称性和台阶笼盖率。Ultra ECP GIII 还融合了全自动领域，支撑 6 英寸平边和 V 型槽晶圆的批量工艺，同时连结了盛美半导体的其次阳极和高速栅板技术，可完成至上机能。
盛美半导体装备显露:“跟着电动汽车、5G 通讯、RF 和 AI 使用的强大需要，化合物半导体市场正在发达开展。一直以来，化合物半导体例造工艺的自动化程度有限，而且受到产量的限制。别的，大无数电镀工艺均接纳匀称性较差的垂直式电镀装备举行。盛美新研发的 Ultra ECP GIII 程度式电镀装备降服了这两个难题，以满足化合物半导体接续提升的产量和优秀机能需要。”
盛美的 Ultra ECP GIII 装备通过两项技术来完成机能上风：盛美半导体的其次阳极和高速栅板技术。其次阳极技术可通过有用调解晶圆级电镀机能，降服电场漫衍迥异变成问题，以完成杰出的匀称性掌握。它能够使用于优化晶圆边缘区域图形和 V 型槽区域，并完成 3% 之内的电镀匀称性。
盛美的高速栅板技术可到达更强的搅拌结果，以强化传质，从而显赫改进深孔工艺中的台阶笼盖率，同时提升的步调笼盖率可低落金薄膜厚度，从而为客户节约老本。
盛美半导体的 Ultra ECP GIII 已获得来自中国化合物半导体例造商的两个订单。初次台订单装备接纳其次阳极技术的铜-镍-锡-镀银模块，且集成真空预湿腔体和后道冲洗腔体，使用于晶圆级封装，已于上月托付。其次台订单装备适用于镀金体系，将于2019下一季度托付客户端。