三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍
8 月 22 日信息在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开辟具有 8 层 TSV（纵贯硅通孔）的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB 内存模块是大概完成的。
通过优化封装，三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存。因为管芯之间的间隙更小（削减 40%）以及通过实行薄晶圆处分技术，高度的低落成为大概。紧张的是，8 层 TSV 模块将供应更好的散热。
三星估计 DDR5 内存将供应比 DDR4 提升 85% 的性能，供应高达 7.2 Gbps 的带宽，以及高达 512GB 的双倍容量。同时，新模块将具有更低的 1.1V 电压，进步电源服从。
中文国外打听到，三星显露，估计到 2023/2024 年可以或许向合流环境趋势供应该 DDR5 内存，数据中心环境趋势的产物将更迅速推出，决策在2019年关前生产 512GB 内存模块。
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