从零起步到赶日超美，韩国如何制霸全球存储芯片 27 年

环球存储芯片业正被连接装进韩企的口袋。

继近来 SK 海力士官宣回收英特尔 NAND 闪存业务及其位于大连的 Fab 68 厂后，SK 海力士比较微弱的 NAND 气力获得进一步补足。

作为环球存储芯片千大哥二，SK 海力士连续在老迈三星的光环下承压前行。这两家韩国公司的版图，已笼盖跨越 72% 的环球 DRAM 环境趋势和跨越 45% 的环球 NAND 闪存环境趋势。

凭借暴利的存储芯片，三星和 SK 海力士一路赚得体满钵满，接续扩充边境、扩大投资，付诸种种起劲捍卫这块血赚的地盘。

回首韩企存储芯片上位史，这是一个颇为励志的故事，在巨擘环伺时别树一帜，从零技术底子起步，到技术当先环球，再到用环境趋势手法逼退角逐敌手，韩企怎样一步步称霸环球存储芯片环境趋势？这是一个极端值得剖析的经典案例。

▲2018 年环球半导体细分环境趋势范围漫衍：存储器是环球非常大的半导体细分环境趋势。

01. 从零，到初次

环球存储芯片初次的板凳非常难捂热，美国日本各坐了十年摆布，而韩国连续坐到本日。

起初英特尔在 70 年月前后凭存储器起身，当了十年的存储器老迈；然后 80 年月日本凭借密集五家企业的气力密集气力攻关技术，敏捷攻占存储环境趋势，率领日本半导体走向世界顶峰，乃至一度将美国硅谷企业打得毫无还手之力，英特尔被逼到差点停业。

等美国看不惯日本半导体崛起、出手打压的时分，早已蓄力的韩国三星、SK 海力士等企业首先明夺环境趋势，一边靠逆势扩张角逐，另一边踊跃抱美国大腿。

美韩团结下，日本半导体兵败如山倒，日企存储芯片界仅存的 “独苗”尔必达在 2012 年宣布停业，被美国美光科技并购。

但是尔必达曾占有的环境趋势，却并无跟着并购而统统装进美光的口袋，相配一片面环境趋势被三星和 SK 海力士进一步蚕食。

从 TrendForce 数据能够看到，2011 年初次季度，环球 DRAM 环境趋势前五划分是韩国三星、SK 海力士、日本尔必达、美国美光科技、中国台湾南亚科技，两家韩企算计市占率大概为 62.7%，尔必达和美光合占近 1/4 的环境趋势。

而到 今年 年，两大韩厂 DRAM 市占率算计达 74.2%，较 2011 年占比更大，第三名美光仅占不到 1/5 的环球环境趋势。存储芯片业务给三星和 SK 海力士带来了丰盛的报答。

今年 年得益于存储芯片价格连接高潮，三星半导体部分收入初次跨越英特尔，成为环球贩卖额非常高的半导体企业；SK 海力士也在统一年营收跨越美光，位列环球第三。

▲今年 年环球半导体企业贩卖额 TOP10（来源：Gartner）

今年 年受存储芯片价格回落影响，三星、SK 海力士、美光等均发现事迹下滑，但这并不影响这两家韩企的半导体贩卖额稳居环球前四。

从 1993 年三星初次登顶起，内存家当款式风波变幻，昔时创始 DRAM 芯片先河的英特尔、德州仪器、IBM 等元老在 20 世纪末退出环境趋势，德企奇梦达、日企尔必达停业，三星、SK 海力士、美光三家把持跨越 90% 的环境趋势份额。

现在，六大玩家朋分 99% 环境趋势的 NAND 闪存平台中，排名第六的 SK 海力士上周又揭露要回收排名第五的英特尔 NAND 业务。

若这一交易顺当实现，SK 海力士希望跃升至 NAND 环境趋势其次或第三名，而韩企将坐拥环球 NAND 平台的半壁江山。

▲今年 年第四季度环球 NAND 品牌厂商营收排名（来源：行业剖析机构 DRAMeXchange）

固然了，职位非常稳的或是三星，这家存储芯片技术和环境趋势都遥遥当先的韩企，曾经稳坐环球存储芯片老迈的位置长达 27 年。

02. 暴走三星，“寻短见式”逆袭上位

三星能从零技术布景到成功染指环球初次，有几个成分功不行没。

首先要有足够血本担得刮危害。技术研发、范围制造都离不开大批资金投入，尤其在价格下降、产能多余的存储器低谷时期，没有足量的资金，非常难撑过吃亏的窘境。

而三星是韩国政府搀扶的家属企业，足够有钱，能够率性。在半导体奇迹起步阶段，三星好像孤注一掷的赌徒，一边欠债累累，一边连接进行 “寻短见式”投资，接续砸重金研发扩产。

环节底气是焦点技术气力过硬。三星就成功走出了一条从技术复制到立异逾越的路。

三星 1983 年刚首先研发 DRAM 时，没有任何技术底子，先是从美日企业采购技术授权，派专家赶赴美日企业学习，进而开辟出初次款 64KB DRAM，与世界先进技术之间的差距逾 4 年。

随后三星从美日搜罗大批半导体人才，不顾吃亏鼎力投资技术研发。仅用 6 年时间，三星便研发出当先环球的 16M DRAM，实现技术进步 5 代。随后 1993 年，三星因 16M DRAM 量产跃居存储芯片环境趋势初次，今后连任至今。

▲韩国三星 DRAM 技术才气变更历程

扩张存储器环境趋势，三星有一大杀招——押注 “逆周期定律”。当存储器环境趋势不景气，其余企业减弱投资、削减制造时，三星反其道而行之，冒着血亏的危害连续投资和扩大制造范围，经历范围效应压低老本，进一步加剧行业吃亏，逼敌手纷繁出局。

这种逆势扩张计谋，三星在 20 世纪 80 年月、90 年月，以及 2008 年金融危机前后均曾实施。

经由二十几年的角逐，内存制造厂商从上世纪 80 年月的四五十家，到 2008 年仅剩韩国三星与 SK 海力士、德国奇梦达、美国美光、日本尔必达五家。2008 年内存价格再次暴跌，几年后奇梦达、尔必达先后停业，韩企迎来周全成功。

▲2008 年金融海啸后经济前景未明，三星仍加码于血本支付与研发价格。

壮大的环境趋势调研才气也至为环节。三星充裕发扬富厚的环境趋势调研才气，将优秀人才提携为环境趋势调研专员派往各个国度和区域，精确掌握环境趋势变更和需要，为谋划决策提供参考。

消息网络带来的精准数据剖析，辅助三星预判到时代更迭带来的空前时机。90 年月个人计算机（PC）取代大型机成为合流，DRAM 需要产生变更，日企陷入立异窘境，被韩企用加倍低廉、小巧、利便的技术战胜。

日企尔必达仍然遵循先前的制造逻辑，近乎病态地追求均一性和高制品率，却纰漏了相较于高品格，低老本和高范围才是 PC 用 DRAM 的焦点角逐力地点。

这给三星等不拘泥于高老本率的韩企一个庞大的时机，三星采纳四代产物同时研发的计谋，起劲于进步制造服从和低落每颗 DRAM 芯片的老本，至于制品率，晋升至能知足环境趋势需要的水准就足够了。经历大批量制造低价 DRAM，三星非常快在市占率上跨越日企。

▲1970-2013 年种种机械迭代

除了本人做研产制造，韩企还投资角逐敌手。

今年 年，日本非常大的集成电路公司东芝存储器是环球第四大存储芯片巨擘、其次大 NAND 闪存芯片巨擘，然而因为东芝团体的巨额吃亏，东芝存储器被以 180 亿美元卖给美国贝恩血本主导的同盟，环球其次大存储芯片商 SK 海力士也顺势成了东芝存储器的股东。

现在的三星和 SK 海力士，坐拥环球非常早进的存储器技术和产能，即使面对不稳定的周期变更，仍然能发现出风雨不动安如山的姿态。

03. 比赛中国环境趋势，连接加固上风

无论是日企赶超美企，或是韩企赶超日企，这些逆袭的故事，都给亟待实现我国半导体家当自立可控的空想埋下了希望的种子。

作为环球非常大的电子产物制造国和环球非常大的电子产物花费环境趋势，中国大陆对存储芯片需要兴旺，且依附入口的程度仍相配高，为以三星、SK 海力士为代表的国外存储芯片玩家进献了相配丰盛的收入。

▲2015-今年 年间，三星和 SK 海力士在中国的营收（来源：彭博社）

但中间国血本首先为自立可控夺取更多大概时，韩企的危机认识油然而生。

2015 年 7 月，紫光团体向美国美光提出 230 亿美元的回收邀大概，然而美光以忧虑被美国政府拦阻为由回绝了这一交易。

走回收外企的捷径不成，那就本人造。从 2016 年起，福建晋华、合肥长鑫、长江存储三大国产存储芯片企业均连续投资发力，砸千亿级资金，兴修 DRAM 或 NAND Flash 芯片制造线。

这令韩企感应空前的鉴戒。

能够看到，以前几年，三星、SK 海力士正连接采纳少许错失来稳定本人的地盘。

其一，掌握产能，以免存储芯片价格下滑。

韩国存储芯片巨擘是掌握产能、玩价格战的能手。他们领有充沛的资金，能熟能生巧地抵抗环境趋势低迷，还善于经历掌握产量影响环境趋势。

十年前欧盟委员会曾向包含三星、SK 海力士、英飞凌、日立、美光在内的 10 家内存制造商开出 3.31 亿欧元罚单，缘故即是它们操控了内存价格，而美光因为当了污点证人被免于惩罚。

2018 年 7 月，三星被曝经历掌握内存产能来减速内存贬价，外媒 Semiwiki 报道称，这一行动造成少许半导体装备提供商的装备出货量短期内下降了 10-25%。

今年 年三星、SK 海力士以及美国美光均思量经历歉收弥补贬价损失。

其二，踊跃在中国大陆建新厂。

2018 年 3 月，三星在西安举行存储芯片二期项目出工奠基典礼，总投资额为 70 亿美元，这是三星继 2012 年在西安高新区花 108 亿美元投资一期 NAND 闪存芯片项目后的又一笔投资。

今年 年 12 月，三星西安闪存芯片项目二期其次阶段 80 亿美元投资启动，二期项目估计至 2021 年下半年收工，建成后将新增月产能 13 万片。

今年 3 月，三星西安一期项目在 1 月、2 月实现满产制造，月产 13 万片存储芯片。

SK 海力士早在 2005 年就在无锡高新区建设了厂商，累计总投资超 100 亿美元。今年 年 10 月，SK 海力士二厂商项目正式签大概，在昨年 4 月正式收工，估计彻底投产后，月产能将晋升至 18 万片 12 英寸晶圆，海力士无锡公司也将成为环球单体投资范围非常大、月产能非常大、技术非常早进的 10 纳米级 DRAM 产物制造基地。

▲SK 海力士在无锡的厂商收工后

但是因为今年疫情影响，三星二期项目和 SK 海力士的无锡厂商推延了大概 3 个礼拜。

而若 SK 海力士能顺当回收英特尔 NAND 闪存业务，也将把制造非易失性存储器的大连英特尔厂商一并收之麾下。

其三，拉大技术差距，引入 EUV 技术。

EUV 光刻技术是实现更先进芯片制程的环节技术，此前要紧被用于制造 7nm 及以下的逻辑芯片，现在年，三星和 SK 海力士均开释了将其引入存储芯片制造线的讯号。

据韩媒报道，今年 8 月，三星 “平泽 2 号”半导体厂商已首先运营，将制造环球首个基于 EUV 的挪动 DRAM 产物。三星电子的一名讲话人吐露，应用 EUV 的 1a 工艺，制造服从是基于 12 英寸晶圆的 1x 工艺的两倍。

SK 海力士也在加快推动基于 1a 工艺的 EUV DRAM 产物。此前 SK 海力士已在 M16 芯片厂园区内安置了两台 EUV 光刻机，决策将 EUV 技术应用于下一代 DRAM 芯片制造。

一台 EUV 光刻机造价跨越 1 亿美元，数目又极端稀有，迄今中国大陆企业产线还未拿到一台 EUV 光刻装备。若韩企基于 EUV 的 DRAM 产物落地，将进一步拉大与中国大陆企业间的技术差距。

04. 结语：存储芯片环境趋势角逐门槛晋级

现在存储芯片开展愈发密集，尤其是 DRAM 内存环境趋势，连接向三星、SK 海力士、美光三家聚拢。

若 SK 海力士非常终成功回收和吸收英特尔 NAND 业务，环球存储芯片环境趋势的泰半江山都将成为韩企的囊中之物。

而从经历履历来看，争夺存储芯片环境趋势将不能够免地需要更多资金的投入，这也意味着来日角逐的门槛进一步增高，其余玩家如想解围，将面对技术、老本以及环境趋势的多重角逐。