格罗方德：已研发出12nm工艺的3D封装Arm芯片
8月10日信息 凭据外媒Tom's Hardware的报道，GlobalFoundries (格罗方德)本周揭露，曾经使用其12nm FinFET工艺胜利制成了高性能的3D Arm芯片。
格罗方德显露：“这些高密度的3D芯片将为计较使用，如AI/ML(人工智能和机械借鉴)以及高端消费级挪动和无线办理计划，带来新的性能和动力服从。”
据报道，格罗方德和Arm这两家公司曾经考证了3D计划尝试(DFT)技巧，使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方mm可支持多达100万个3D持续，使其具有高度可扩大性，并有望为12nm 3D芯片供应更长的使用寿命。
对于3D封装技术，英特尔昨年揭露了其对3D芯片堆叠的钻研，AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM和SRAM的计划。
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